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他強調,聯電與大陸在DRAM技術的合作,不僅限於與既有的韓美三大DRAM廠競爭,目標是先在台灣發展自行研發DRAM的能力,把優秀人才和研發團隊根留台灣,另由大陸提供資

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金開發技術,力拚突破韓美重圍。

簡山傑說,聯電短期發展策略是強化晶圓專工的核心製造技術能力,擴展8吋及12吋製程技術,切入智慧型手機相關應投資賺錢理財

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用領域,並導入工業4.0來提升產值。

「晶圓雙雄」之一的聯華電子公司,日前因涉美光「內鬼」案遭起訴,市場關注聯電未來發展;聯電總經理簡山傑說,相信司法會還聯電清白,強調聯電不受影響,將持續自主研發,並與大陸策略合作,有信心明年第4季完成第1階段DR

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AM技術開發,達成獲利及擴大市占率的策略目標。

他說,聯電14奈米良率已達客戶要求,今年第2季起

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開始挹注營收,未來14奈米會以創造獲利為導向。另28奈米進入量產後,2016年下半年占營業額20%,預計28奈米對營收貢獻,未來仍有20%的水準。

他說,聯電正按照無塵室的開發進度,持續執行DRAM研發計畫,聯電擁有許多經驗豐富的工程師,相信可成功開發DRAM技術,預計2018年第4季完成第1階段的技術開發工作。

中期以擴大聯電市占率為目標,去年在廈門量產的12吋晶圓廠,提供大陸半導體市場全方位的技術資源與晶圓製造服務,協助客戶分散地區性風險,確保競爭優勢;長期策略則是持續致力新技術

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開發及應用,並拓展現有產品以外的市占率,包括物聯網、工業應用、車用和家電等應用市場。

商品訊息描述: 中國時報【陳志賢】

簡山傑認為,台灣過去DRAM的投資偏重於授權與製造,少專注在研發。台灣一直都有研發DRAM的機會,有足夠人才和技術基礎,只是欠缺自行開發。



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市場展望-簡山傑:DRAM研發計畫不受影響

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